三星電子將投入2.5兆韓元于韓國京畿道的華城17產(chǎn)線，用于量產(chǎn)3D NAND，最快6月底向設(shè)備廠商下單，以月晶圓（(12英寸為基準(zhǔn))）投片量為4萬片的生產(chǎn)規(guī)模，將在2016年底開始量產(chǎn)。
三星華城17產(chǎn)線第一階段投產(chǎn)的是DRAM，月晶圓投片量為4萬片左右，第二階段用于投產(chǎn)3D NAND。分析認(rèn)為，一方面是為了應(yīng)對市場對更大容量的存儲需求，另一方面為了穩(wěn)固3D技術(shù)的領(lǐng)先地位。
需求上，2016上半年很多智能型手機(jī)已內(nèi)嵌128GB容量，消費者也更傾向于向更高容量升級，下半年蘋果新iPhone將增加256GB大容量，且最低搭配容量從32GB起跳，預(yù)計容量分配為256GB（10%）、128GB（50% ）、64GB（30%）、32GB（10%），將在7月份開始備貨，三星Galaxy Note 6也有望增加256GB容量，同時消費市場SSD也在向更高容量普及，顯然市場對高容量NAND Flash的需求在增加。
3D技術(shù)基于48層3D NAND容量可提升至256Gb，三星3D技術(shù)相對成熟，因此蘋果新iPhone 256GB機(jī)型由三星獨家供貨。三星除了西安廠量產(chǎn)32層3D NAND，已將韓國華城Fab16的16nm 2D NAND改造成20nm 48層3D V-NAND產(chǎn)線，并將于下半年投產(chǎn)。現(xiàn)在，又將韓國京畿道的華城17產(chǎn)線用于量產(chǎn)3D NAND，也是為了準(zhǔn)備足夠充足的NAND Flash產(chǎn)能滿足蘋果新iPhone和SSD的需求。
在3D NAND技術(shù)上，雖然三星目前處于領(lǐng)先地位，但由于2D NAND缺乏成本競爭力，東芝/SanDisk、鎂光、SK海力士等都在加快向3D技術(shù)切換，其中東芝/SanDisk的3D技術(shù)采用的也是48層；SK海力士以36層 3D NAND為主，并將在年內(nèi)完成48層3D NAND小批量生產(chǎn)；鎂光以32層量產(chǎn)為主，并積極向48層或更高的3D NAND技術(shù)推進(jìn)。
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