今年大家都在關(guān)注3D NAND FLASH ，最近西部數(shù)據(jù)將存儲(chǔ)架構(gòu)密度提高到了768GB ，3D芯片的產(chǎn)出對(duì)于未來(lái)使用更廣，體積不變但是容量更大，未來(lái)很小很小的一張卡可能就是幾百G或者1TB以上 ，那么未來(lái)對(duì)于SSD的發(fā)展也有一個(gè)新轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

隨著閃存技術(shù)的發(fā)展，NAND Flash架構(gòu)設(shè)計(jì)已從SLC過(guò)渡到MLC，現(xiàn)在TLC已成為了主流。西部數(shù)據(jù)的4-Bits-Per-Cell(X4）架構(gòu)也就是所謂的QLC，相較于TLC（3-Bits-Per-Cell，X3），每個(gè)單位元的存儲(chǔ)容量更大。

西部數(shù)據(jù)BiCS3的X4架構(gòu)可使單顆Die容量達(dá)到768Gb，相較于之前TLC架構(gòu)的512Gb，單位容量增加了50%。西部數(shù)據(jù)將在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉舉行的Flash Memory Summit閃存峰會(huì)上展示其基于X4架構(gòu)BiCS3的移動(dòng)產(chǎn)品，以及SSD產(chǎn)品。

西部數(shù)據(jù)表示，成功研發(fā)出X4架構(gòu)的BiCS3代表著西部數(shù)據(jù)的一個(gè)重大進(jìn)展，也顯示我們?cè)贜AND Flash技術(shù)的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位，同時(shí)也使我們能夠?yàn)榭蛻?hù)提供更多選擇的存儲(chǔ)解決方案。

由于NAND Flash因單位元內(nèi)存放的bits數(shù)增加，P/E周期(Program/Erase Cycle)，以及使用壽命也隨之降低。在NAND Flash的MLC向TLC過(guò)渡時(shí)，為了降低讀寫(xiě)錯(cuò)誤，NAND Flash控制芯片的ECC糾錯(cuò)技術(shù)由BCH向更高糾錯(cuò)能力的LDPC轉(zhuǎn)換，QLC也將會(huì)采用更高的糾錯(cuò)技術(shù)。

西部數(shù)據(jù)還表示，今天最引人注意的是，創(chuàng)新的X4架構(gòu)可使BiCS3 X4的性能能夠與BiCS X3相媲美，X4和X3架構(gòu)之間的性能差縮小是辨別我們能力的一個(gè)重要標(biāo)準(zhǔn)，這將有助于我們?cè)谖磥?lái)廣泛推動(dòng)X4架構(gòu)被市場(chǎng)所接受。

西部數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)公司生產(chǎn)的BiCS X4技術(shù)利用高容量的優(yōu)勢(shì)特性將跨越多個(gè)終端應(yīng)用，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，包括將要向96層發(fā)展BiCS4都將采用X4架構(gòu)，未來(lái)也將成為主流。

西數(shù)推出64層3D QLC閃存：便宜入門(mén)的新SSD要爆發(fā)

此前，X4已經(jīng)用于2D閃存的產(chǎn)品，在SSD小型化的當(dāng)下，通過(guò)3D也就是向上發(fā)展，可以在有限的空間內(nèi)集成更大的存儲(chǔ)量。

由此，單晶片的存儲(chǔ)密度為768Gb(96GB)，此前64層TLC是512Gb。